3.1产品特性  Features

  薄膜电路，指的是在陶瓷基片上通过光刻，电镀等半导体工艺，将电阻、金属导带等集成为一体，形成特定功能的电路。主要有以下特点：

   A thin film circuit is fabricated by sputtering photolithography , plating as well as other standard semiconductor process . Film resistor , film inductor , film conductor and other distributed circuit components are integrated in one ceramic substrate . The features of the thin film circuits are as f0llows:

u 高集成度、小体积 High integrity and small size

u 高精度、提供优异的元器件性能   

High precision of the line , excellent component performance

u 优异的温度稳定特性以及频率特性，使用频率至毫米波

Excellent temperature and frequency characteristic , working frequency up to millimeter wave band

3.2产品运用 Applications

u 通讯领域：微波毫米波通讯、光通讯、5G通讯、无线电通讯

Communications applications: Microwave &millimeter wave communications , Optical communications and Telecommunications

u LED大功率照明领域  LED power lighting applications

u 传感技术领域  Sensors applications

u 医疗成像领域  Medical imaging applications

u 生物技术领域  Biotech applications

3.3产品概述  Overview

3.3.1产品金属层结构  Product  metallayers

3.4.2陶瓷基片  Ceramic Substrate

基片材料及参数  Substrate parameters

3.4.3常规厚度及代码

注：基片的选择：基片的选择主要取决于介电常数，介电常数会决定导线的特征尺寸。电路具有精细的导线结构时应选用99.6%氧化铝，此款材料具有很精细的颗粒结构。在功率较大的电路运用中应选择99%氮化铝，此款材料具有很好的热导率。

厚度选择：基片的厚度会直接影响产品的使用频率，以99.6%氧化铝为例最佳的使用频率为：

基片厚度为0.635mm，最高使用频率到6GHz；基片厚度为0.508mm，最高使用频率到12GHz；

基片厚度为0.381mm，最高使用频率到18GHz；基片厚度为0.254mm，最高使用频率到40GHz；

基片厚度为0.127mm时最高使用频率可超过40GHz。

3.4.4 金属体系  Metal system  

本公司为客户提供了4种金属体系选择，若电路中含有电阻，必需选择含有TaN的金属体系：

3.4.5 表面金属化

通孔金属化：为方便接地，本公司可提供带金属化通孔的薄膜电路，金属化通孔电阻小于等于50毫欧姆。

孔径与基片厚度的最佳比例为1:1，可加工的最小金属化通孔孔径为基片厚度的0.8倍，孔位最小偏差为50μm，详细要求如下（T为基片厚度）：

金属图形化及性能精度：

3.4.6薄膜电阻设计规则  Resistor Design Formula