从结构类型分类,单层芯片电容可分为以下几种类型:
一、电极全覆盖型:在产品规划过程中,双面电极为相同面积能供给大电容值。该规划便于客户在使用过程中,更好地匹配电容宽度与线路板导体线宽。
二、电极留边型:在产品一端电极或两头电极的边缘留边。这种留边量规划,能够在装置过程中下降短路的可能性。
三、多片阵列型:将多个芯片电容组合为一体,能够节约装置过程中的装置空间和装置本钱。
四、二进制可调型:芯片电容中的多个电容具有二进制关系,便于客户进行线路调试。
五、双片串联型:两个电容串联结构,共面波导,省掉搭线衔接,可提高谐振频率。
依据芯片电容瓷介资料分类,能够分为以下几种:
Ⅰ类瓷介:资料介电常数较小,其特点是电容量随温度改变率小,产品电容量随温度呈线性改变,电气功能稳定,常用于对稳定性、牢靠性要求较高的高频、高频的微波电路中。
Ⅱ类瓷介:资料介电常数较大,在规则温度范围内电容量改变率较大,产品电容量随温度呈非线性改变,适用于隔直、耦合、旁路和滤波电路及对牢靠性要求较高的中、低频场合。
Ⅲ类瓷介:资料介电常数通常大于10,000,属于晶界层结构,产品电容量随温度呈非线性改变,常用于旁路和滤波电路。因为介电常数大,可实现高容体比。
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