芯片电容器—单层陶瓷电容器具有尺寸小、厚度薄等效串联电阻低、损耗低的长处，应用频率可达数GHZ，适用于小型、微波的场合，广泛应用于微波通讯线路，微波功率放大器以及微波集成电路中，起到隔直通交、RF旁路、 滤波、调谐等作用。

　　目前首要选用流延法、轧膜法制备陶瓷基片。通过磁控溅射、光刻和电镀办法制备外电极，经过精细切开技术制得不同尺寸的芯片电容器。

　　下面简要的介绍下芯片电容器的陶瓷基片的几种制备办法：

　　流延法，流延技术生产效率高，自动化水平高，膜片平坦易加工，质量稳定等优点。流延法是将制造好的瓷浆经过流延设备的注浆口，涂布在环形钢带或塑料带上，然后构成一层均匀的浆料层，其厚度可由浆料的黏度、注浆口的宽度及钢带的走带速度调理。经过干燥后构成必定厚度和宽度并具有必定强度和弹性的细密的陶瓷基片，可以很方便地进行加工，流延出的瓷膜平坦，光洁度高，常见厚度在1-60um之间。

　　轧膜法：轧膜法通常在轧膜机进步行，轧膜机由两个滚筒组成，滚筒的表面经过镀铬拋光，以确保轧出的薄膜具有较高的光洁度。滚筒之间的间隔可以调理，以便操控轧膜的厚度。一般轧膜 进程分为配料、粗轧和精轧几个工序。配料是瓷料粉末和必定的黏合剂、溶剂等配成浆料，以便粗轧。粗轧的意图是将粉料和黏合剂混合均匀，并取得必定的厚度的瓷带以便进行精轧。精轧时逐步缩小轧膜机两个滚筒之间的间隔，经过重复多次轧膜，取得所需厚度的陶瓷膜。采用轧膜法能确保瓷膜细密、气孔小，但瓷膜的厚度难以达到小。

　　两种办法比较，在相同烧结工艺条件下，轧膜工艺得到的陶瓷晶粒较大，导致轧膜式的ε更大。流延工艺制备电容器的ε和tanθ均小些，但其介温特性差，应用时会影响电容器的可靠性。

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